1、模块内部寄生电感的影响

        在关断IGBT过程中，IGBT电流急剧变化，由于有寄生电感的存在，会在IGBT上产生电压尖峰 Vce(peak) = Vce + L * di/dt。电压尖峰增加了IGBT过电压的风险，在某些应用场合，尤其是对于大功率应用，高开关速度情况下，需要使用更大电压等级的IGBT，这无疑会增加器件的静态损耗和器件成本;另外电压尖峰及其导致的波形震荡还会带来额外的关断损耗，这都会导致系统效率的下降和成本的增加。

        在一个可接受的效率状况下，可以说寄生电感的存在限制了开关频率的进一步提高，限制了高频化的应用;另外关断过程中的电压尖峰不仅和寄生电感大小成正比，它 还和开关电流的变化率成正比。这就意味着对于大功率模块，由于开关电流比较大，它就需要更加低电感的设计。例如对于100A/700V(1200V IGBT)的应用，回路中寄生电感10nH是可以接受的，那么对于较大功率的应用，例如500A/700V (1200V IGBT)，为了取得同样的开关效果，回路中的寄生电感必须降到2nH。但是现实情况正好相反，对于大功率模块，为了降低回路中的等效电阻，需要使用更大 面积的直流母排和螺栓端子，而这又进一步增加了回路中的寄生电感。因此，对于大功率模块的应用，现在更多的设计是通过降低模块的关断速度(如使用更大的驱 动电阻或者使用较慢开关速度的芯片)从而降低di/dt，来达到控制关断电压尖峰的目的。但这无疑增加了模块的开关损耗，这也是为什么现在大功率电力电子 装置中，开关频率普遍提高不上去的原因。

        2、新型大功率模块低寄生电感设计方法：

        大功率模块回路需要流过大电流，为了保持回路中的低等效电阻，必须使用面积较宽的走线，而这就会增加回路中的寄生电感，这个矛盾是客观存在的。为了解决这个矛盾，必须设法把两个回路解耦。对应的策略就是在保持大电流低电阻回路的基础上，额外为IGBT开关过程增加一个低寄生电感回路，如图2所示。实线回路为稳态大电流回路，由于走线很宽，等效电阻很小，但是由于环路面积很大，等效寄生电感较大。而虚线回路为瞬态大电流回路，只有在开关过程中，也就是di/dt比较大的时候，电流才会从这个回路走，时间一般只有几百纳秒，线路不会有很大的热量，所以这个回路可以设计得非常小，从而实现低等效寄生电感。
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